第一節(jié) 國(guó)內(nèi)黑碳化硅產(chǎn)業(yè)主要技術(shù)成果
1、6H碳化硅產(chǎn)品在2350℃溫度下生成品質(zhì)最好，但尋找一種能夠在高溫、氧化和還原氣氛下在線實(shí)時(shí)準(zhǔn)確測(cè)量冶煉爐心溫度的介質(zhì)卻是一個(gè)世界性難題。樂(lè)園集團(tuán)與東南大學(xué)合作，做了幾十次實(shí)驗(yàn)，換了近十種介質(zhì)，經(jīng)過(guò)三年時(shí)間艱苦試驗(yàn)，終于找出一條準(zhǔn)確比對(duì)測(cè)溫方法，該技術(shù)填補(bǔ)了國(guó)際空白，已獲得國(guó)家一項(xiàng)發(fā)明專利和一項(xiàng)實(shí)用新型專利。改進(jìn)后的冶煉技術(shù)實(shí)現(xiàn)節(jié)能約15%，每爐原料生成的產(chǎn)品也由原來(lái)的15噸提升到目前的22噸。
2、對(duì)提純工序的測(cè)溫不精確是制約世界范圍內(nèi)同 行業(yè) 生產(chǎn)的一大瓶頸。目前國(guó)內(nèi)外企業(yè)普遍采用紅外線測(cè)溫技術(shù)，但測(cè)量溫度與實(shí)際溫度相差較大，影響產(chǎn)品穩(wěn)定性。樂(lè)園集團(tuán)科研人員通過(guò)兩年的研發(fā)，開(kāi)發(fā)了一種新型的實(shí)時(shí)檢測(cè)與信息管理系統(tǒng)。該系統(tǒng)可對(duì)72臺(tái)罐同時(shí)進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)，測(cè)溫也比國(guó)外技術(shù)更準(zhǔn)確，且能耗和成本低、產(chǎn)品穩(wěn)定性強(qiáng)。該項(xiàng)技術(shù)贏得了國(guó)外專家的交口稱贊。
3、碳化硅單晶原料是碳化硅產(chǎn)品的第四代產(chǎn)品，可用于軍工領(lǐng)域，國(guó)外限制該產(chǎn)品的出口。2006年，中科院面向全國(guó)招標(biāo)，攻克此項(xiàng)技術(shù)難題。身為民營(yíng)企業(yè)的樂(lè)園集團(tuán)以雄厚的研發(fā)實(shí)力，在與20余家國(guó)內(nèi)同行的競(jìng)爭(zhēng)中輕松中標(biāo)。經(jīng)過(guò)不懈努力，他們與南京工業(yè)大學(xué)合作攻克了技術(shù)難題，成為國(guó)內(nèi)惟一一家生產(chǎn)該產(chǎn)品的企業(yè)，又一次填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)該產(chǎn)品的空白。目前，他們生產(chǎn)的碳化硅單晶原料產(chǎn)品僅供給中科院物化 研究 所、上海硅酸鹽 研究 所等國(guó)內(nèi)高端研發(fā)機(jī)構(gòu)使用。
第二節(jié) 國(guó)外黑碳化硅產(chǎn)業(yè)主要技術(shù)成果
研究 發(fā)展電子器件封裝用高導(dǎo)熱、低熱膨脹金屬基復(fù)合材料是國(guó)際上金屬基復(fù)合材料 研究 發(fā)展的最新動(dòng)態(tài)之一。美國(guó)已研制成功了SiCp/Al、Sip/Al、C/Al等高性能電子封裝用復(fù)合材料，用于高功率密度、高集成密度的電子器件，成為解決電子器件迅速傳熱、散熱問(wèn)題的關(guān)鍵材料。
第三節(jié) 黑碳化硅產(chǎn)業(yè)技術(shù) 研究 熱點(diǎn)
針對(duì)正迅速發(fā)展的高集成度、高功率密度電子器件的需求，最近 研究 發(fā)展的電子封裝復(fù)合材料之一為碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料（SiCp含量為60%～75%）等。
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