第一節(jié) 產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
芯片的封裝技術(shù)多種多樣，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，種類不下三十種，經(jīng)歷了從DIP、TSOP到BGA的發(fā)展歷程。芯片的封裝技術(shù)已經(jīng)歷了幾代的變革，性能日益先進(jìn)，芯片面積與封裝面積之比越來越接近，適用頻率越來越高，耐溫性能越來越好，以及引腳數(shù)增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便。
國內(nèi)引線框架 行業(yè) 從上世紀(jì)八十年代中期開始起步，我國半導(dǎo)體引線框架技術(shù)發(fā)展將向著細(xì)間距產(chǎn)品：沖壓和蝕刻型引線框架的內(nèi)引腳節(jié)距小于140微米；封裝尺寸和引線長度縮小。濕度靈敏性（MSL）增強(qiáng)：微型蝕刻；改進(jìn)對Ni/Pd/Au元素的表面處理；目標(biāo)是達(dá)到MSL等級1。
國際市場上，引線框架及材料主要由日本、韓國、德國供貨，主要有高導(dǎo)電、高強(qiáng)中導(dǎo)電、高強(qiáng)高導(dǎo)電三大合金系列：高導(dǎo)電系列的強(qiáng)度為400MPa-450MPa，導(dǎo)電率80%-85%IACS；高強(qiáng)中導(dǎo)電系列的強(qiáng)度達(dá)450MPa-550MPa，導(dǎo)電率55%-65%IACS；高強(qiáng)高導(dǎo)電率系列的抗拉強(qiáng)度在600Mpa以上，導(dǎo)電率大于80%IACS。
國內(nèi)半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展趨勢將呈現(xiàn)中高檔封裝形式（SSOP、TSOP、QFP、TQFP、PBGA等）呈逐年上升趨勢，而DIP封裝以每年約10%的速度在遞減；DIP與SOP等中低檔封裝形式仍占多數(shù)。
在國內(nèi)，IC封裝用銅合金引線框架材料與國外同類產(chǎn)品相比，生產(chǎn)上存在品種規(guī)格少，性能不穩(wěn)定，銅帶成品率在40%～50%（國外在75%以上），產(chǎn)業(yè)化規(guī)模小等一系列問題，在板型狀況、殘余內(nèi)應(yīng)力、表面光潔度、邊部毛刺、寬度與厚度公差超差、外觀要求不合格等各方面的不足。與國外產(chǎn)品存在較大差距。
目前框架 行業(yè) 總體生產(chǎn)規(guī)模小，總體的技術(shù)水平和產(chǎn)品檔次與發(fā)達(dá)國家相比還有較大差距， 行業(yè) 的投資規(guī)模和研發(fā)水平低。
第二節(jié) 產(chǎn)品工藝特點(diǎn)或流程
在生產(chǎn)工藝方面，國內(nèi)導(dǎo)線架生產(chǎn)工藝為沖制型和刻蝕型兩大類，以沖制型為主流工藝，其產(chǎn)量占導(dǎo)線架總量的95%以上的份額?？涛g型生產(chǎn)主要用于高精度、多管腳、小節(jié)距、非標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，其數(shù)量僅占導(dǎo)線架總數(shù)的2%左右。
沖壓制作導(dǎo)線架的工藝流程
蝕刻制作導(dǎo)線架的工藝流程
第三節(jié) 國內(nèi)外技術(shù)未來發(fā)展趨勢 分析
隨著光電、微電制造工藝技術(shù)的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品始終在朝著更小、更輕、更便宜的方向發(fā)展，因此芯片元件的封裝形式也不斷得到改進(jìn)。
目前及可預(yù)見的未來，國際國內(nèi)的半導(dǎo)體封裝的主流封裝方式仍是SOP 、QFP等必須采用引線框架的封裝方式。但目前國際上出現(xiàn)了以球焊陣列封裝（BGA），芯片尺寸封裝（CSP），多芯片組件（MCM）以及系統(tǒng)封裝（SIP），多芯片封裝（MCP）等先進(jìn)封裝技術(shù)代替最初的DIP、SOP、QFP等必須采用引線框架的封裝方式的趨勢，先進(jìn)的封裝技術(shù)促使引線框架逐漸為層壓基板材料所取代，是集成電路封裝形式的發(fā)展方向。因此，從長期看，尤其是從全球范圍看，塑封多層基板對單體導(dǎo)線架存在部分替代效應(yīng)，發(fā)達(dá)國家半導(dǎo)體封裝技術(shù)進(jìn)步將影響單體導(dǎo)線架的需求增長幅度。但是基于全球電子產(chǎn)品消費(fèi)的高速增長，加上國際半導(dǎo)體單體導(dǎo)線架產(chǎn)業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移，國內(nèi)單體導(dǎo)線架的需求將繼續(xù)保持上升趨勢。
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