第一節(jié) 當(dāng)前 行業(yè) 存在的問(wèn)題
1、應(yīng)用領(lǐng)域有待擴(kuò)大
LGS的應(yīng)用，目前仍限于一些不計(jì)成本的領(lǐng)域，如軍事和航空航天等。LGS難以廣泛應(yīng)用，其重要原因之一，仍是其制造成本難以與廣泛應(yīng)用的a一石英晶體相比較。加之。晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量及重復(fù)率也仍存在一些問(wèn)題。
2、企業(yè)的贏利能力與可持續(xù)發(fā)展能力不強(qiáng)，要改變目前單純依靠?jī)r(jià)格爭(zhēng)奪市場(chǎng)的模式，就必須走技術(shù)與品牌之路。但眾所周知的事實(shí)是，企業(yè)很少擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力不強(qiáng)，這已成為直接參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的“硬傷”，做一個(gè)合格的國(guó)際供應(yīng)商尚有差距。而且要改變這種競(jìng)爭(zhēng)模式，目前尚無(wú)應(yīng)對(duì)良策。
3、競(jìng)爭(zhēng)力和利潤(rùn)水平均下降
從企業(yè)外部環(huán)境來(lái)講，近年來(lái)人民幣升值的壓力使壓電晶體 行業(yè) 的競(jìng)爭(zhēng)能力和整個(gè) 行業(yè) 的平均利潤(rùn)都在下降。因?yàn)槿?行業(yè) 85%以上的產(chǎn)品要出口。另外如果出口退稅率一旦下降，也會(huì)給整個(gè) 行業(yè) 帶來(lái)更大困擾。
第二節(jié) 行業(yè) 未來(lái)發(fā)展預(yù)測(cè) 分析
1、結(jié)構(gòu)由晶體向薄膜方向發(fā)展，這對(duì)信息產(chǎn)業(yè)的通信領(lǐng)域高頻化發(fā)展具有重要意義。
2、功能向復(fù)合效應(yīng)方向發(fā)展。
3、生產(chǎn)企業(yè)規(guī)模會(huì)不斷提高
目前，硅酸鎵鑭晶體生產(chǎn)企業(yè)數(shù)很少，生產(chǎn)規(guī)模也不大，隨著下游產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大，硅酸鎵鑭晶體作為一種新的壓電晶體，需求會(huì)不斷增加，將刺激更多企業(yè)研發(fā)生產(chǎn)硅酸鎵鑭晶體，使 行業(yè) 整體規(guī)模擴(kuò)大，生產(chǎn)企業(yè)的規(guī)模也逐步擴(kuò)大。
第三節(jié) 行業(yè) 投資前景 分析
隨著移動(dòng)通信技術(shù)的快速發(fā)展，新的移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)（WCDMA）能夠支持移動(dòng)通信設(shè)備之間的語(yǔ)音、圖象、數(shù)據(jù)以及視頻通信。與石英相比硅酸鎵鑭晶體優(yōu)異的聲表面波性能使其在此領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景，是企業(yè)值得投資的一個(gè)產(chǎn)業(yè)。
硅酸鎵鑭（LGS）晶體與石英晶體的聲表面波性能比較
| 性能晶體 | 石英SiO2 | 硅酸鎵鑭La3Ga5SiO14 |
| 密度,g/cm3 | 2.65 | 5.746 |
| 聲表面波聲速Vef,m/s | (0°,132.75°,0°)；3157 | (0°,140°,25°)；2756 |
| 機(jī)電耦合系數(shù)K2emc,%(SAW) | 0.14 | 0.36 |
| 二次溫度系數(shù)α2,×10-8/℃2 | -3.2 | -6.8 |
| 溫度系數(shù)拐點(diǎn)溫度TTO,℃ | 25 | 23 |
| 介電常數(shù)e | 4.92 | 27 |
| 能流角F,° | 0 | 0.5 |
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