第一節(jié) 概述

目前靶材主要制造商包括有德國(guó)HERAEUS，占率達(dá)60%，第二位是日商HITACHI占有率23%，第三位為光洋科占10%，第四位是日商N(yùn)ikko占6%。濺鍍靶材大廠PLANSEE至2010年于奧地利擴(kuò)廠投資將達(dá)1億歐元 充份供應(yīng)全球大尺寸TFT-LCD用靶材。

第二節(jié) 亞洲地區(qū)主要國(guó)家市場(chǎng)概況

1、霍尼韋爾考慮與本土靶材供應(yīng)商合作

霍尼韋爾公司于2007年底正式宣布將旗下特殊材料集團(tuán)的電子材料部全球總部從美國(guó)亞利桑那州圖森市遷往中國(guó)上海。此舉充分體現(xiàn)了公司對(duì)快速增長(zhǎng)的亞洲市場(chǎng)的重視程度，也再次證明了中國(guó)正在成為霍尼韋爾新一輪全球競(jìng)爭(zhēng)的戰(zhàn)略重點(diǎn)。

為滿足中國(guó)及亞洲地區(qū)日益增長(zhǎng)的客戶需求，霍尼韋爾于2004年底在上海張江高科技園區(qū)建成了亞太總部暨研發(fā)中心。電子材料研發(fā)是霍尼韋爾研發(fā)中心一個(gè)重要的組成部分，中心成立了專門的電子材料 研究 團(tuán)隊(duì)，建立了介電材料合成及應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室、導(dǎo)電材料應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室。2006年11月，霍尼韋爾宣布繼續(xù)擴(kuò)建位于上海的亞太研發(fā)中心。擴(kuò)建后，電子材料 研究 團(tuán)隊(duì)將在原有兩個(gè)實(shí)驗(yàn)室的基礎(chǔ)上，新建四個(gè)實(shí)驗(yàn)室，包括百級(jí)潔凈室、聚合物合成實(shí)驗(yàn)室、化合物中試實(shí)驗(yàn)室、危險(xiǎn)品化學(xué)實(shí)驗(yàn)室。擴(kuò)建項(xiàng)目于2008年中期完成。

在2008年，電子材料部通過(guò)擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模和引進(jìn)新產(chǎn)品，持續(xù)擴(kuò)大和提升亞洲生產(chǎn)能力。韓國(guó)的工廠將在未來(lái)引進(jìn)13個(gè)新的金屬靶材產(chǎn)品的生產(chǎn)，產(chǎn)量提升45%；泰國(guó)的工廠將開(kāi)始熱管理材料生產(chǎn)線擴(kuò)建。這些生產(chǎn)擴(kuò)建項(xiàng)目將更好地滿足亞洲和全球客戶的需求。

2、日本ITO靶材市場(chǎng)

ITO靶材是LCD產(chǎn)業(yè)鏈的重要一環(huán)，是基本的配套材料。近年來(lái)隨著平面顯示器 行業(yè) 的蓬勃發(fā)展，對(duì)ITO靶材的需求也大大增長(zhǎng)。

ITO靶材的供應(yīng)，主要的供應(yīng)商以日本為主，其中日本能源、日本三井礦業(yè)公司、日本東曹3家廠商囊括了80%以上的ITO市場(chǎng)。

亞洲主要濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)

第三節(jié) 歐洲地區(qū)主要國(guó)家市場(chǎng)概況

歐洲主要濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)

第四節(jié) 美洲地區(qū)主要國(guó)家市場(chǎng)概況

就美國(guó)而言，大約有50家中小規(guī)模的靶材制造商及經(jīng)銷商，其中最大的公司員工大約有幾百人，不過(guò)為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務(wù)，全球主要靶材制造商通常會(huì)在客戶所在地設(shè)立分公司。

美洲主要濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)

第五節(jié) 濺射靶材 行業(yè) 存在的問(wèn)題及應(yīng)對(duì)策略

一、存在問(wèn)題

1、高端ITO靶材全部依賴進(jìn)口

中國(guó)是全球中低端ITO導(dǎo)電玻璃的主要生產(chǎn)地，也是ITO靶材的主要需求市場(chǎng)之一。自1994年以來(lái)華錫集團(tuán)就開(kāi)始熱壓技術(shù)的研發(fā)，株冶、寧夏905工廠、山東藍(lán)狐材料等眾多廠家與高等院校多年來(lái)不斷努力，但至今尚無(wú)法掌握高品質(zhì)ITO靶材制作所需之氣氛燒結(jié)技術(shù)。從1998年起，我國(guó)的筆段型液晶顯示器、點(diǎn)陣顯示器產(chǎn)量已躍居世界第一，國(guó)內(nèi)目前能生產(chǎn)TFT-LCD大尺寸液晶面板的生產(chǎn)廠家主要有京東方、上廣電、龍騰光電3家，產(chǎn)能占全球的5%，可是，所用ITO靶材全部依賴進(jìn)口。我國(guó)銦儲(chǔ)量和產(chǎn)量均居世界第一，然而銦金屬卻主要外銷，對(duì)其深加工高新技術(shù)產(chǎn)品尚處于起步階段。為使資源增值，合理利用銦資源的重要途徑之一是生產(chǎn)ITO靶材。目前ITO靶材生產(chǎn)通常采用冷等靜壓燒結(jié)法制備的ITO磁控濺射靶材，相對(duì)密度小于99%，未突破下游 行業(yè) 需求指標(biāo)(單相結(jié)構(gòu)、相對(duì)密度大于99.5%)，產(chǎn)品只限部分用于生產(chǎn)低端的TN導(dǎo)電玻璃。

2、生產(chǎn)工藝落后

目前工業(yè)ITO靶材都是以ITO粉末為原料經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成，其燒結(jié)成型方法主要有3種：熱壓法HP、冷等靜壓法CIP、高溫氣氛燒結(jié)法MMP。

國(guó)內(nèi)目前ITO靶材的生產(chǎn)，多采用高成本的熱等靜壓工藝。該 技術(shù)工藝 生產(chǎn)的靶材，一旦產(chǎn)品規(guī)格超過(guò)200mm×200mm，就會(huì)出現(xiàn)斷裂、密度低等問(wèn)題，而且在使用過(guò)程中，經(jīng)常出現(xiàn)靶材中毒現(xiàn)象。這也是我國(guó)靶材 行業(yè) 落后于先進(jìn)國(guó)家的主要原因之一。

二、應(yīng)對(duì)策略

1、要重點(diǎn)支持自主開(kāi)發(fā)和擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的科研成果的產(chǎn)業(yè)化，培育若干具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)集團(tuán)及重點(diǎn)產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)基地。

2、堅(jiān)持自主發(fā)展的方針，要鼓勵(lì)和促進(jìn)企業(yè)積極采用“產(chǎn)、學(xué)、研、用”結(jié)合，包括長(zhǎng)期和短期從國(guó)內(nèi)外引進(jìn)管理和技術(shù)人才，以及采用在國(guó)外辦技術(shù)中心等方式和方法，提高預(yù)測(cè)能力和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的市場(chǎng)命中率，加快產(chǎn)品和生產(chǎn)的發(fā)展。

3、為提高企業(yè)的長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力，在產(chǎn)業(yè)組織結(jié)構(gòu)調(diào)整中，要有分有合、有退有進(jìn)。既鼓勵(lì)和促進(jìn)企業(yè)的合理重組、合并，走大公司的道路，也支持專業(yè)化分工和特色生產(chǎn)，關(guān)鍵是使企業(yè)成為專業(yè)領(lǐng)域的排頭企業(yè)，形成大、中、小企業(yè)相互促進(jìn)，相互補(bǔ)充的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。

4、提高工藝技術(shù)和裝備水平。以抓產(chǎn)品一致性為突破口，提高產(chǎn)品一致性，促進(jìn)產(chǎn)品升級(jí)，減少我國(guó)對(duì)國(guó)外高端產(chǎn)品的依賴，帶動(dòng)大生產(chǎn)和產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。

第六節(jié) 行業(yè) 發(fā)展預(yù)測(cè) 分析

一、產(chǎn)品需求特點(diǎn)發(fā)展預(yù)測(cè)

金屬濺射靶材常用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、記錄媒體產(chǎn)業(yè)（磁記錄及光記錄）和先進(jìn)顯示器產(chǎn)業(yè)。其中半導(dǎo)體集成電路制造對(duì)濺射靶材純度的要求最高。常用靶材的純度要求見(jiàn)下表。

集成電路用濺射靶材純度要求

由于堿金屬離子（Na+，K+）易在絕緣層中形成可移動(dòng)性離子，降低器件性能；放射性元素（U，Th）會(huì)釋放α射線，造成元器件產(chǎn)生軟擊穿；重金屬（Fe，Ni，Cr等）離子會(huì)產(chǎn)生界面漏電及氧元素增加等。因此必須對(duì)原材料中該類元素的含量進(jìn)行控制。

中國(guó)高純(Al，Cu，Ti，Ta金屬的提純技術(shù)與工業(yè)發(fā)達(dá)國(guó)家的差距較大，目前能夠提供的最高純金屬也遠(yuǎn)不能滿足集成電路對(duì)濺射靶材的質(zhì)量要求。以鋁為例：國(guó)內(nèi)高純Al執(zhí)行GB 8179-87標(biāo)準(zhǔn)，提供產(chǎn)品純度為99.999%，僅對(duì)Si、Fe、Cu、Pb、Zn、Ga、Ti、Cd、Ag、In10種元素進(jìn)行 分析 ，通過(guò)減法獲得純度值，但是對(duì)于超大規(guī)模集成電路中非常敏感的雜質(zhì)，如K，Na，U，Th等元素的含量并未進(jìn)行 分析 ，如果按照 行業(yè) 常規(guī)的全元素 分析 方法，我國(guó)生產(chǎn)的高純Al的純度實(shí)際還不到99.99%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足集成電路制造用靶材的質(zhì)量要求。

因此，我國(guó)未來(lái)濺射靶材的 研究 主要要集中在提高產(chǎn)品純度上，是未來(lái)產(chǎn)品的重要需求特點(diǎn)。

二、 行業(yè) 發(fā)展趨勢(shì) 分析

中國(guó)已經(jīng)成為世界的制造中心，其中平面顯示器、半導(dǎo)體、微電子、光盤等產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，鍍膜材料中濺射靶材逐漸成為基礎(chǔ)核心技術(shù)之一。在國(guó)內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值持續(xù)增加時(shí)，連帶的這些濺射靶材料使用量也勢(shì)必將逐年增加。由于靶材生產(chǎn)技術(shù)要求極高，且國(guó)內(nèi)對(duì)濺射靶材的研制工作還處于初期階段，導(dǎo)致高單價(jià)及高附加價(jià)值的濺射靶材幾乎全部需要國(guó)外進(jìn)口。不過(guò)已經(jīng)有越來(lái)越多企業(yè)進(jìn)行高端產(chǎn)品研發(fā)，未來(lái)國(guó)產(chǎn)比例會(huì)有所提高。

免責(zé)申明：本文僅為中經(jīng)縱橫 市場(chǎng) 研究 觀點(diǎn)，不代表其他任何投資依據(jù)或執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)等相關(guān)行為。如有其他問(wèn)題，敬請(qǐng)來(lái)電垂詢：4008099707。特此說(shuō)明。