第一節(jié) LED熒光粉 產(chǎn)業(yè)政策 取向及影響 分析

1、LED熒光粉產(chǎn)業(yè)準(zhǔn)入政策 分析

2010年5月12日,工業(yè)和信息化部印發(fā)了《關(guān)于公開征集稀土 行業(yè) 準(zhǔn)入條件意見的通知》。對稀土 行業(yè) 的多項指標(biāo)劃定門檻。

《通知》在生產(chǎn)規(guī)模、工藝裝備、能源消耗、資源綜合利用、環(huán)境保護、產(chǎn)品質(zhì)量、監(jiān)督與管理等多方面都做出規(guī)定。如在生產(chǎn)規(guī)模上，規(guī)定輕稀土礦山企業(yè)生產(chǎn)建設(shè)規(guī)模年處理礦石量應(yīng)不低于30萬噸（1000噸/日）；離子型稀土礦山企業(yè)生產(chǎn)能力應(yīng)不低于3000噸（REO，以氧化物計）/年。稀土金屬冶煉項目規(guī)模應(yīng)不低于1500噸/年等。以上各類規(guī)定固定資產(chǎn)投資項目最低資本比例為40%。

在工藝及裝備上，《通知》要求建有完備的三廢處理系統(tǒng)，稀土冶煉分離項目，不得采用氨皂化工藝等；在能源消耗上，要求稀土金屬冶煉項目，電流效率須大于85%，噸產(chǎn)品綜合能耗須小于1.6噸標(biāo)煤，其余則待新的《稀土冶煉企業(yè)單位產(chǎn)品能源消耗限額》出臺后按新標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行；在資源綜合利用上，混合型稀土礦、氟碳鈰礦采礦損失率和貧化率不得超過10%，選礦回收率不得低于72%，選礦廢水循環(huán)利用率不得低于85%。

2、產(chǎn)品進(jìn)出口標(biāo)準(zhǔn)與認(rèn)證

標(biāo)準(zhǔn)一直是包括熒光粉在內(nèi)的LED相關(guān) 行業(yè) 關(guān)注的焦點。2009年12月以來， 行業(yè) 標(biāo)準(zhǔn)陸續(xù)公布，并將在2010年陸續(xù)實施。首先是工業(yè)和信息化部批準(zhǔn)發(fā)布涵蓋LED材料、芯片、器件及相關(guān)檢驗測試方法等領(lǐng)域的9項 行業(yè) 標(biāo)準(zhǔn)，接著，國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會頒布了由全國照明電器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會主導(dǎo)的6項LED相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，加上此前出臺的兩項強制性國家標(biāo)準(zhǔn)，共計8項。一系列新標(biāo)準(zhǔn)的出臺，將有助于促進(jìn)我國LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和技術(shù)創(chuàng)新，同時促進(jìn)LED照明 行業(yè) 更加規(guī)范健康地發(fā)展。

目前國內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)與認(rèn)證體系包括：《半導(dǎo)體光電子器件功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范》、《半導(dǎo)體發(fā)光二極管測試方法》、《氮化鎵基發(fā)光二極管用藍(lán)寶石襯底片》、《半導(dǎo)體發(fā)光二極管用熒光粉》、《功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范》、《半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片測試方法》、《半導(dǎo)體光電子器件小功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范》和《半導(dǎo)體發(fā)光二極管產(chǎn)品系列型譜》以及《半導(dǎo)體照明名詞術(shù)語》。這9項 行業(yè) 標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了LED材料、芯片、器件及相關(guān)檢驗測試方法等各個領(lǐng)域。

3、LED熒光粉產(chǎn)業(yè)貿(mào)易政策取向及影響 分析

2003年6月17日，由中國科技部牽頭成立了跨部門、跨地區(qū)、跨 行業(yè) 的“國家半導(dǎo)體照明工程協(xié)調(diào)領(lǐng)導(dǎo)小組”，提出了我國實施半導(dǎo)體照明工程的總體方針，確定從協(xié)調(diào)領(lǐng)導(dǎo)小組成立之日起，到2005年年底前的這段時間，為半導(dǎo)體照明工程項目的緊急啟動期，并在“十五”攻關(guān)計劃中緊急啟動半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)重大項目，在此期間要結(jié)合制定國家中長期科技發(fā)展 規(guī)劃 和第十一個科技五年計劃， 研究 提出中國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展的總體戰(zhàn)略和實施方案。從2006年的“十一五”開始，國家將把半導(dǎo)體照明工程作為一個重大工程進(jìn)行推動。 研究 開發(fā)高效節(jié)能、長壽命的半導(dǎo)體照明產(chǎn)品是《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展 規(guī)劃 綱要(2006-2020年)》工業(yè)節(jié)能優(yōu)先主題的重要內(nèi)容。“半導(dǎo)體照明工程”項目在“十一五”的戰(zhàn)略目標(biāo)是:通過自主創(chuàng)新，突破白光照明部分核心專利，解決半導(dǎo)體照明市場急需的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，建立完善的技術(shù)創(chuàng)新體系與特色產(chǎn)業(yè)集群，完善半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)鏈，形成我國具有國際競爭力的半導(dǎo)體照明新興產(chǎn)業(yè)。其中白光LED熒光粉的 研究 是白光LED發(fā)展的核心技術(shù)之一。在863計劃新材料技術(shù)領(lǐng)域重大項目“半導(dǎo)體照明工程，"2006年度課題申請指南中，白光LED熒光粉的 研究 歸于方向三(本方向經(jīng)費預(yù)算為6500萬元，課題支持年限原則上不超過3年):"1001m/W功率型LED制造技術(shù)一開發(fā)課題4:“功率型LED器件封裝用關(guān)鍵配套材料產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)”。 研究 目標(biāo):實現(xiàn)1001m/W功率型LED器件封裝用光學(xué)級硅膠、熒光粉等關(guān)鍵配套材料的國產(chǎn)化。2003年中國開始推動國家半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)化基地的建設(shè)，包括大連光產(chǎn)業(yè)園、上海張江高科技園、南昌聯(lián)創(chuàng)光電科技園、廈門開元科技園，深圳光明高新園區(qū)，共建成五個產(chǎn)業(yè)基地.各產(chǎn)業(yè)園的建成為LED企業(yè)從上游芯片到下游封裝的一體化提供了基礎(chǔ)條件，在園區(qū)內(nèi)的企業(yè)同時享有國家或地區(qū)的各項優(yōu)惠政策。

從以上 分析 可以看出，國家在LED尤其是白光LED的政策扶持上持積級政策，十一五 規(guī)劃 又將白光LED作為重點，可以想象，作為白光LED的核心技術(shù)之一熒光粉的研制也將作為LED 研究 的一項重要任務(wù)，政府也會相應(yīng)給予一定的優(yōu)惠政策，政治與法律環(huán)境因此相對寬松，為白光LED熒光粉企業(yè)的發(fā)展創(chuàng)造了條件。

第二節(jié) 影響2009-2014年中國LED熒光粉產(chǎn)業(yè)發(fā)展因素

1、有利因素

1）政策支持

經(jīng)過30年高速發(fā)展，我國經(jīng)濟目前正處于整個國民經(jīng)濟發(fā)展模式的轉(zhuǎn)型的過程中，與此同時有限的資源，環(huán)境、土地，人力等資源日趨緊張，急需要重新配置。因此，節(jié)能減排，環(huán)保產(chǎn)業(yè)成為轉(zhuǎn)型經(jīng)濟必不可少的立足點和傳統(tǒng)發(fā)展模式的突破口。而政策方面，國家也非常重視工業(yè)和生活領(lǐng)域的節(jié)能。比如，財政部計劃今年中央財政將加大高效照明產(chǎn)品推廣力度，大力推廣節(jié)能的使用范圍。

有關(guān)數(shù)據(jù)顯示，我國目前每年用于照明的電力接近2500億度，其中若能有三分之一采用半導(dǎo)體照明，每年可節(jié)約800億度電，基本上相當(dāng)于三峽電站總的發(fā)電量。為此，政策上正在大力引導(dǎo)與推廣節(jié)能燈具。特別是利用財政補貼重點支持如半導(dǎo)體(LED)高效照明產(chǎn)品等。

2）市場需求巨大

中國LED市場規(guī)模巨大，2009年，國內(nèi)LED市場規(guī)模達(dá)215億元，預(yù)計2010年可達(dá)279億元，增幅為30%。

目前國內(nèi)LED較為成熟的應(yīng)用領(lǐng)域為建筑景觀照明，大屏幕顯示，交通信號燈，指示燈，手機及數(shù)碼相機等用小尺寸背光源，太陽能LED照明，汽車照明，特種照明及軍用等，對LED熒光粉的需求巨大。

2、不利因素

1）技術(shù)水平

國內(nèi)采用熒光粉實現(xiàn)白光主要有三種方法，但它們并沒有完全成熟，由此嚴(yán)重地影響白光LED在照明領(lǐng)域的應(yīng)用。常見的方法是在藍(lán)色LED芯片上涂敷能被藍(lán)光激發(fā)的黃色熒光粉，芯片發(fā)出的藍(lán)光與熒光粉發(fā)出的黃光互補形成白光。該技術(shù)被日本Nichia公司壟斷，而且這種方案的一個原理性的缺點就是該熒光體中Ce3+離子的發(fā)射光譜不具連續(xù)光譜特性，顯色性較差，難以滿在白光領(lǐng)域，但由于其特殊的優(yōu)點，在彩色LED中也能得到一定的應(yīng)用。熒光粉在彩色LED上的應(yīng)用還剛剛起步，需要進(jìn)一步進(jìn)行深入的 研究 和開發(fā)。

2）經(jīng)營環(huán)境

近年來，LED熒光粉 行業(yè) 產(chǎn)能和廠家數(shù)量有所增加，無論是擴產(chǎn)的老廠，還是投產(chǎn)不久的新工廠，無不對市場行情寄予厚望。但是，步入2008年以后，LED熒光粉市場整體經(jīng)營環(huán)境卻發(fā)生了較大變化。

首先是人民幣升值加速。人民幣升值已經(jīng)影響到大多數(shù)廠家的出口利潤，許多下游企業(yè)開始縮減產(chǎn)量。同時，次貸危機對國際經(jīng)濟的打擊，使市場對產(chǎn)品的需求量下降。

其次是勞動力、運費等企業(yè)經(jīng)營成本上升。一方面，《勞動合同法》實施后，企業(yè)用工成本上漲20%左右。同時，國家的銀根緊縮政策也影響了企業(yè)的經(jīng)營狀況。企業(yè)大都面臨資金緊張的問題。

第三節(jié) 國內(nèi)LED熒光粉產(chǎn)業(yè)技術(shù)專利狀況

專利技術(shù)在LED發(fā)展中起著巨大作用，并以其獨特的專利分布方式極大的影響著LED 行業(yè) 未來的發(fā)展格局。

為了保護利益，占領(lǐng)市場，發(fā)達(dá)國家的公司特別注重知識產(chǎn)權(quán)戰(zhàn)略，大量申請專利，圈占知識產(chǎn)權(quán)領(lǐng)地。LED照明技術(shù)的核心專利基本都被外國幾大公司控制。日本日亞化學(xué)公司是其中擁有專利數(shù)量最多，對專利格局最有影響力的公司。它在世界各地申請多項藍(lán)光和白光LED專利，企圖以專利戰(zhàn)略壟斷藍(lán)光LED世界市場。他們運用堅守專利的策略，設(shè)置其他公司進(jìn)入市場的專利障礙，以期長期獨霸藍(lán)光和白光LED市場。

我國LED技術(shù)起步較晚，在LED專利方面處于比較被動的局面。缺少核心專利和難以為產(chǎn)業(yè)服務(wù)是我國專利現(xiàn)今面臨的最大問題。但近幾年隨著“十五”國家科技攻關(guān)項目的啟動，我國在LED技術(shù)領(lǐng)域也取得了很大的進(jìn)展，專利數(shù)量也在逐年遞增。本文將對2007年國內(nèi)外LED熒光粉專利申請情況做一個簡單的總結(jié)和 分析 ，以期對業(yè)界更好的認(rèn)識形勢和把握方向有一定的參考作用。

（一）鋁酸鹽系列熒光材料

繼日亞化學(xué)公司申請了美國專利US5998925，將LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 與藍(lán)光LED相結(jié)合獲得白光LED后，這樣的優(yōu)異白光實現(xiàn)方式和相關(guān)熒光粉材料便成為了國內(nèi)外各大企業(yè)競相追逐的對象。

為了避開該專利，Osram公司在上述專利的基礎(chǔ)上，將LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 后，申請了美國專利US6669866，得到了LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 （簡稱“TAG:Ce”）熒光粉及相應(yīng)的白光LED專利。但由于TAG:Ce在發(fā)光效率方面仍然難以趕超YAG:Ce，TAG:Ce的應(yīng)用還難以得到推廣。

有研稀土新材料股份有限公司在系統(tǒng) 研究 基質(zhì)和激活劑的基礎(chǔ)上，認(rèn)為雙激活方式能提高產(chǎn)物發(fā)光強度，并同時采用氟化物作為助熔劑，以此開發(fā)出了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的熒光粉LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 ，（ZL02130949.3）。另外，有研稀土采用電荷補償原理，在已有技術(shù)的基礎(chǔ)上，用部分二價金屬元素取代鋁或釔，對LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 后形成的帶電中心進(jìn)行了電荷補償，使發(fā)光轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性提高，進(jìn)而提高了熒光粉的量子效率和亮度，并以此技術(shù)申請了專利PCT/CN2007 /003205。除此以外，有研稀土還開發(fā)出了多種黃色熒光粉（專利ZL200310113506.5，申請?zhí)?00610065812.X），并形成了一定的產(chǎn)業(yè)化能力，產(chǎn)品質(zhì)量已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平。

然而縱觀2007年公開的國內(nèi)外LED鋁酸鹽熒光粉專利，原創(chuàng)性專利更是少之又少，多為在現(xiàn)有技術(shù)上的改進(jìn)和修飾。例如：北京宇極科技發(fā)展有限公司申請的用于白光LED波長可調(diào)的綠色、黃綠色或黃色熒光粉LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 （200610113053.X）；北京大學(xué)申請的添加Sb和Bi的YAG:Tb熒光粉（200510079808.4）；電燈專利信托有限公司和奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體股份有限公司共同申請的摻雜Y、Gd、La和/或Lu的LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析

熒光粉（200610101855.9）；美國專利US2007278451提出的發(fā)黃光或橙黃色光的熒光粉LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析

隨著時間的推移，鋁酸鹽系列熒光粉方面可挖掘的技術(shù)也越來越少，似乎已難以見到如前幾年一般的火熱現(xiàn)象，申請數(shù)量有一定下降。而其它新型熒光粉的開發(fā)正在引起更廣泛的關(guān)注。

（二）硅酸鹽系列熒光材料

相對于LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 激活的硅酸鹽熒光粉具有更寬的發(fā)射調(diào)節(jié)范圍，也就是說在280-500nm光的激發(fā)下可表現(xiàn)出綠光、黃光、橙紅色光甚至紅光發(fā)射。除了可以用來代替 YAG:Ce黃色熒光粉，從而突破日亞“藍(lán)光LED＋YAG:Ce熒光粉”的專利封鎖外，還可彌補釔鋁石榴石在紅光部分（大于600nm）嚴(yán)重短缺的問題。因此硅酸鹽系列LED熒光粉逐漸受到人們的青睞。

在2001～2004年間，通用電氣、豐田合成、Philips和Intematix等公司申請了多項相關(guān)專利（US6429583、 US6809347、WO03/080763、US2006/0027781、US2006/0028122），而近幾年隨著LED技術(shù)的迅速發(fā)展，其它新型的硅酸鹽LED熒光粉也相繼被開發(fā)出來：

有研稀土通過雙摻雜或多摻雜，和改變基質(zhì)組成等方式極大地改善了硅酸鹽熒光粉的發(fā)光效率，并提高了它與紫外、紫光或藍(lán)光LED芯片等的匹配性（PCT/CN2007/002201）；2006年，有研稀土還開發(fā)了一種含有稀土、硅、堿土金屬、鹵素、氧，以及鋁或鎵的新型硅酸鹽熒光粉LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 :dR（200610065812.X），在藍(lán)光、紫光或紫外光激發(fā)下發(fā)出峰值在500～600nm的寬帶可見光，半峰寬大于30nm?？捎糜诎坠饣虿噬獿ED的制備，能量轉(zhuǎn)換率高。

大連路明提出了由堿土金屬、稀土、過渡金屬、鹵族元素等多種元素組合而成的LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 熒光粉（200610082355.5），該材料可以被作為激發(fā)光源的發(fā)射光譜在240～510nm的紫外－綠光區(qū)域的發(fā)光元件激發(fā)，發(fā)出峰值在430～630范圍內(nèi)的發(fā)射光譜，可呈現(xiàn)藍(lán)、藍(lán)綠、綠、黃綠、黃、黃紅、紅、白顏色的光。

除了正硅酸鹽熒光粉，近年來還開發(fā)出了幾類其它硅酸鹽熒光粉。如三菱化學(xué)申請的一種LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 （US7189340）以LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 為最佳組分，該熒光粉具有良好的熱穩(wěn)定性，在505nm和545nm各具有一個較強的寬譜發(fā)射，從而得以實現(xiàn)高顯色性的白光LED。

復(fù)旦大學(xué)和江門市科恒實業(yè)有限責(zé)任公司共同申請的一種銪激活的堿土金屬磷硅酸鹽熒光粉LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 （M，M’分別為堿土金屬Ca、Sr或者Ba中的一種）（200710036377.2），發(fā)射波長范圍在藍(lán)綠到黃橙光，即λexc＝497～580nm。

Intematix公司分別申請了適合于220～530nm激發(fā)的黃色熒光粉LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 D（WO2007130114）和波長大于565nm的桔黃色硅酸鹽熒光粉(Sr,A1)x(Si,A2)(O,A3)LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 （JP2007131843）專利。

由上述專利可以看出，無論是正硅酸鹽熒光粉還是其它類型的硅酸鹽熒光粉，其中許多都能通過調(diào)整組分獲得從綠到黃，甚至從藍(lán)到紅的發(fā)射光，從而有利于獲得高顯色性的白光LED。然而從目前已推出的該類熒光粉產(chǎn)品來看，其發(fā)光強度與鋁酸鹽熒光粉相比還有一定差距，因此還有進(jìn)一步深入 研究 的需要。

（三）氮化物/氮氧化物系列熒光材料

以往，氧化物熒光體或硫化物熒光體為主流，近年來，氮化物/氮氧化物熒光粉以其優(yōu)良的性能在LED熒光粉市場上也占有了自己的一席之地。氮化物/氮氧化物熒光粉結(jié)構(gòu)的多樣性決定了它具有多種發(fā)光顏色，近乎覆蓋了全可見光區(qū)域；且激發(fā)范圍寬，適用于藍(lán)光、紫光或紫外光激發(fā)；而其穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)和優(yōu)良的高溫發(fā)光性能又使得它應(yīng)用的領(lǐng)域更寬。

根據(jù)結(jié)構(gòu)，氮化物/氮氧化物熒光粉可分為如下幾類：

（1）AE2Si5N8:Eu型 

該類型熒光粉的發(fā)射主要表現(xiàn)為黃光－紅光。2003年，歐司朗在美國申請了專利（US6649946）對LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 熒光粉進(jìn)行保護，該熒光粉適于被420～470nm的LED芯片激發(fā)，產(chǎn)生黃光－紅光的發(fā)射。日亞化學(xué)申請的中國專利200610005476.X提出了結(jié)構(gòu)式為LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 或LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 的熒光粉，這些熒光粉可被500nm以下的光有效激發(fā)，得到520～780nm的寬譜發(fā)射。

（2））(Ca,Sr)AlSiN3:Eu型

LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 熒光粉在紫外和藍(lán)光激發(fā)下也可產(chǎn)生黃紅色或紅光發(fā)射，但LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 熒光粉的熱穩(wěn)定性和溫度特性要明顯優(yōu)于AE2Si5N8:Eu型熒光粉。獨立行政法人物質(zhì)材料 研究 機構(gòu)和三菱化學(xué)株式會社2004年共同申請了中國專利［200480040967.7］，該發(fā)明提供了一種主相為LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 的熒光粉，使用該熒光粉可成功制作高效率發(fā)射暖白光的白色發(fā)光二極管。

（3）AESi2O2N2:Eu型

LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 型熒光粉主要以發(fā)射綠光為主，通過調(diào)整堿土金屬AE的比例可適當(dāng)調(diào)節(jié)發(fā)射主峰的位置。典型的如歐司朗申請的熒光粉LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 （EP1413618）和LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 （200480027591.6）。

（4）M-α-SiAlON:Eu型

α-型賽隆熒光粉其結(jié)構(gòu)式可表示為：LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 ，其發(fā)射光譜多在500～620nm之間。例如：Ube Industries, LTD提出的LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 （EP1498466）；晶元光電股份有限公司申請的一種可被藍(lán)光和/或紫外線(380～480nm)激發(fā)產(chǎn)生黃綠光的LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 ，熒光粉（200510096522.7）；為了克服現(xiàn)有白光LED黃色熒光粉的熱穩(wěn)定性不足和在藍(lán)光激發(fā)下效率不高的特點，東華大學(xué)提供了一種發(fā)射波長為550～610nm的LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 ，熒光粉（200610116986.4）；此外，獨立行政法人物質(zhì)?材料 研究 機構(gòu)還申請了多項發(fā)黃綠光、黃光或紅光的α-賽隆型熒光粉LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 （200580009191.7、200580001325.0、200580001443.1、WO2007004493）。

（5）β-SiAlON:Eu型

β-型賽隆熒光粉在紫外－藍(lán)光LED激發(fā)下具有優(yōu)異的綠色寬譜發(fā)射。如獨立行政法人物質(zhì)材料 研究 機構(gòu)提出的一種LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 熒光粉（200580000742.3），具有β型LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 晶體結(jié)構(gòu)，該熒光粉在250～500nm波長的紫外、可見光或電子射線激發(fā)后會發(fā)出在500～600nm的綠光。

如上所述，氮化物/氮氧化物作為一種新型的LED熒光粉具有許多其它系列熒光粉無法比擬的優(yōu)勢，是一種很有發(fā)展?jié)摿Φ臒晒獠牧稀８鞔笃髽I(yè)已經(jīng)開始著手該領(lǐng)域的專利布局，以爭取盡可能多和快的搶占知識產(chǎn)權(quán)，因此今年氮化物/氮氧化物專利的申請數(shù)量大大增加，其中仍以國外知名企業(yè)申請的居多。

（四）含硫熒光材料

盡管含硫熒光粉存在著化學(xué)性質(zhì)不穩(wěn)定等無法克服的缺點，但由于許多含硫熒光粉的激發(fā)光譜基本包含當(dāng)前LED芯片的發(fā)射波長，且根據(jù)不同的成分可得到藍(lán)光、黃光或紅光的發(fā)射光譜，因此仍有許多企業(yè)和 研究 單位在該領(lǐng)域進(jìn)行了大量的 研究 。

日本東芝（TOSHIBA KK）揭示了一種以Ce和Na激活的熒光粉：LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 該熒光粉在紫外光（特別是370-410nm的近紫外光）激發(fā)下發(fā)射藍(lán)光（WO2007102276）；

日本三井金屬礦業(yè)公司（MITSUI MINING & SMELTING CO）提供了一種近紫外光激發(fā)的高效的由LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 激活的LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 紅色熒光粉（JP2007063366）；另外該公司還申請了一種近紫外光激發(fā)的黃色熒光粉BaS，該熒光粉以LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 為發(fā)光中心（JP2007063365）。

中山大學(xué)公開了一種白光LED用熒光粉LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 （200710028577.3）；該熒光粉在300nm～500nm光線激發(fā)下發(fā)出420nm～700nm不同顏色的光，適用于近紫外光或藍(lán)光LED芯片。

湖南師范大學(xué)公開出了一種發(fā)射波長長、單色性好的新型紅色熒光粉，該熒光粉的組成通式是：LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 ＝Ca，Sr，Ba)：LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 （200610032269.3），其最佳激發(fā)波長在250～400nm和420～550nm，最大發(fā)射波長在672nm。

中國科學(xué)院上海硅酸鹽 研究 所發(fā)明了一種可用于白光LED的氧硫化物BaZnOS摻雜熒光材料。該氧硫化物熒光粉為Zn位摻雜Mn或Cu的 BaZnOS，通式為LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 或通式為LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 （200710043534.2）。Zn位摻雜Mn的BaZnOS熒光粉發(fā)射紅光，峰值為624nm；Zn位摻雜Cu的BaZnOS熒光粉發(fā)射藍(lán)光，峰值為430nm。

由于含硫熒光粉的穩(wěn)定性差，導(dǎo)致光衰大且造成S污染，而穩(wěn)定高效的氮化物/氮氧化物熒光粉又被成功開發(fā)出來，因此硫化物熒光粉大有被氮化物/氮氧化物熒光粉取代的趨勢。

（六）其它熒光材料

除了上述主要的LED熒光粉類型，還有許多其他類型的LED熒光粉也取得了一定進(jìn)展。

華東理工大學(xué)公開了一種可被紫外光和近紫外光激發(fā)的熒光粉，通式為：(2-x-y-z)MO-M’O-(1-a)LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 該熒光粉有較寬的激發(fā)光譜，可被在300-420nm的光線有效激發(fā)；通過改變組分和摻雜濃度，可以改變色坐標(biāo)（200710036651.6）。

中國科學(xué)院長春應(yīng)用化學(xué) 研究 所申請的一種LED用紅色熒光粉的化學(xué)式表示為：LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 其激發(fā)帶與藍(lán)光氮化鎵LED的發(fā)射峰重疊，能夠有效被激發(fā)，主發(fā)射波長位于612nm附近（200710055669.0）。

廈門大學(xué)提供了一種化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，發(fā)光性能好，可被紫外、紫光或藍(lán)光LED有效激發(fā)而發(fā)紅光，且在紫外激發(fā)時另一發(fā)射峰從紅光到綠光可調(diào)的熒光粉。其結(jié)構(gòu)式為：LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 （200710009065.2）。

昭和電工株式會社提出了一種熒光粉，由通式LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 表示，Ln表示選自于Y、La以及Gd的至少一種，M表示選自于W和Mo的至少一種。該熒光粉通過波長為220至550nm的可見光或UV輻射被有效地激發(fā)以獲得希望的光發(fā)射，尤其是高效地發(fā)紅光。從而，所述熒光粉可用于例如發(fā)光屏、發(fā)光二極管以及熒光燈的發(fā)光裝置中（200580005012.2）。

中國臺灣的“國立中央大學(xué)”提出了一種被LED激發(fā)時發(fā)出主峰位置612nm紅光的熒光粉，其化學(xué)式為：LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 A= Ca、Sr、Ba，B= Li、Na、K，C= Eu、Sm、Ce、Mn、Ti、Mg、Zn、Tb（US2007114495）。

中國臺灣的“國立清華大學(xué)”發(fā)明了一種在300~500nm紫外或藍(lán)光LED激發(fā)下發(fā)黃光的熒光粉：LED熒光粉專利技術(shù)的進(jìn)展與 分析 （US2007102670）。

從LED熒光粉專利 分析 結(jié)果來看，盡管近幾年來國內(nèi)LED熒光粉知識產(chǎn)權(quán)逐漸得到了重視，但與國外相比，仍然存在很大差距。首先國內(nèi)擁有專利數(shù)量（包括臺灣）與國外差距明顯，核心專利數(shù)量更是微乎其微，國外企業(yè)以專利覆蓋的形式不斷在中國申請專利，企圖搶先占領(lǐng)中國市場，在中國專利的申請數(shù)量上國內(nèi)甚至不如國外；另外國內(nèi)申請的專利仍然多是圍繞老產(chǎn)品（例如鋁酸鹽和硫化物熒光粉），而國外企業(yè)卻早已在新興領(lǐng)域開辟了自己的一番天地（例如氮化物/ 氮氧化物熒光粉）；且國內(nèi)申請的專利多以高校申請為主，而企業(yè)的申請數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于高校，這就造成專利與產(chǎn)業(yè)嚴(yán)重脫節(jié)的局面。

世界各國正在加緊相關(guān)技術(shù)的 研究 ，專利就是為打開市場披荊斬棘的一把利刃。中國必須加快自己的步伐，以應(yīng)用領(lǐng)域為導(dǎo)向，盡快發(fā)展自己的專利技術(shù)，提高知識產(chǎn)權(quán)保護意識，為適應(yīng)今后的發(fā)展做好充分的準(zhǔn)備。

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