第一節(jié) 產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀

“十一五”期間，在國(guó)家有關(guān)部門(mén)和各級(jí)政府的重點(diǎn)支持下，特別是國(guó)家科技部在“十一五”國(guó)家科技攻關(guān)和“863”光電子新材料 研究 計(jì)劃中，安排了光纖預(yù)制棒科技支撐計(jì)劃項(xiàng)目，國(guó)內(nèi)光纖企業(yè)積極迎接挑戰(zhàn)、踴躍投入，各相關(guān) 行業(yè) 協(xié)會(huì)大力促進(jìn)，加快了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的光纖預(yù)制棒新技術(shù)、新工藝和新材料的開(kāi)發(fā)步伐。在國(guó)家自主創(chuàng)新政策的引領(lǐng)下，民族光纖的自主創(chuàng)新 研究 顯著增強(qiáng)，我國(guó)的預(yù)制棒技術(shù)取得了突破性進(jìn)展，光纖預(yù)制棒制造技術(shù)與設(shè)備 研究 及產(chǎn)業(yè)化等方面均實(shí)現(xiàn)了跨越式發(fā)展：制造工藝從MCVD與PCVD，發(fā)展到OVD與VAD技術(shù)，光棒制造能力從2家發(fā)展到4家，國(guó)內(nèi)光纖制造商的單模光纖年生產(chǎn)能力突破1000萬(wàn)芯公里的企業(yè)迅猛增加到4家，我國(guó)已經(jīng)發(fā)展稱為名符其實(shí)的光纖制造第一大國(guó)。

雖然，我國(guó)常規(guī)單模產(chǎn)能實(shí)現(xiàn)了歷史性跨越與進(jìn)步。但是，在經(jīng)濟(jì)全球化的今天，常規(guī)單模光纖的競(jìng)爭(zhēng)日趨白熱化。加之發(fā)達(dá)國(guó)家將制造業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移，這種現(xiàn)實(shí)的環(huán)境更是加速了民族光纖產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)，價(jià)格迅速下滑，產(chǎn)能將再度出現(xiàn)供大于求的窘境。

因此，民族光纖產(chǎn)業(yè)一方面要更一步增強(qiáng)自主創(chuàng)新，狠抓光纖上游核心—－光纖預(yù)制棒規(guī)模化技術(shù)，搶奪利潤(rùn)來(lái)源主體；另一方面，民族光纖企業(yè)家需要站在全球化市場(chǎng)的戰(zhàn)略高度，苦練內(nèi)功，強(qiáng)化管理，將民族光纖產(chǎn)業(yè)走出國(guó)門(mén)，推向全球市場(chǎng)；第三，面對(duì)利潤(rùn)微薄的常規(guī)光纖市場(chǎng)實(shí)際，要?jiǎng)?chuàng)造性地展開(kāi)差異化競(jìng)爭(zhēng)，自主創(chuàng)新地 研究 與開(kāi)發(fā)特種光纖新產(chǎn)品，拓展新的利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)。

一、光子晶體光纖

烽火通信科技股份有限公司在十一五國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ) 研究 發(fā)展計(jì)劃973項(xiàng)目“微結(jié)構(gòu)光纖結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制備工藝的創(chuàng)新與基礎(chǔ) 研究 ”（2003CB314905）、高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目“863”計(jì)劃“光子晶體光纖及器件的研制與開(kāi)發(fā)”（2007AA03Z447）、973計(jì)劃項(xiàng)目“微結(jié)構(gòu)光纖的創(chuàng)新設(shè)計(jì)、精確制備及其標(biāo)準(zhǔn)化”（2010CB327606）的支撐下，從微結(jié)構(gòu)光纖設(shè)計(jì)、制備技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)等多方面進(jìn)行了系統(tǒng)深入的 研究 ，取得了重大的科研成果。烽火通信已經(jīng)初步形成了微結(jié)構(gòu)光纖（光子晶體光纖）的工藝技術(shù)與設(shè)備控制技術(shù)，以及自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的專利技術(shù)，先后制造出如圖1～圖6所示的光子晶體光纖，包括：高非線性光子晶體光纖、色散平坦光子晶體光纖、FTTH用微結(jié)構(gòu)光纖、大模場(chǎng)單模光子晶體光纖、空心PBG型光子晶體光纖、全固態(tài)PBG型光子晶體光纖，以及雙包層摻鐿光子晶體光纖、摻鉺光子晶體光纖等。

烽火通信將上述光子晶體光纖提供給國(guó)內(nèi)的清華大學(xué)、北京郵電大學(xué)、天津大學(xué)、南開(kāi)大學(xué)、燕山大學(xué)、深圳大學(xué)、國(guó)防科技大學(xué)進(jìn)行基礎(chǔ)應(yīng)用 研究 ：清華大學(xué)采用本公司提供的高非線性光子晶體光纖實(shí)現(xiàn)了慢光，實(shí)現(xiàn)了0.5脈沖當(dāng)量的光減速；天津大學(xué)采用本公司提供的高非線性光子晶體光纖實(shí)現(xiàn)了 400nm~1400nm兩倍頻程的超連續(xù)光譜；北京郵電大學(xué)利用本單位的高非線性光子晶體光纖實(shí)現(xiàn)了波長(zhǎng)變換器件的研制；南開(kāi)大學(xué)采用本單位的柚子型光敏微結(jié)構(gòu)光纖，實(shí)現(xiàn)了多參量傳感新型光纖光柵的刻寫(xiě)等，他們?nèi)〉昧诵滦透咝阅艿墓怆娮悠骷膰?guó)際前沿的 研究 成果。

二、色散補(bǔ)償光纖及模塊

隨著網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的應(yīng)用日益廣泛，人們對(duì)寬帶傳輸?shù)男枨笱杆僭鲩L(zhǎng)，因此，光通信系統(tǒng)需要不斷增大傳輸距離、傳輸容量和提高傳輸速率。光纖通信的傳輸速率從最初的兆比特/秒1（Mbps），2.5G比特/秒（Gbps）到10 Gbps，現(xiàn)在高達(dá)40 Gbps，甚至160 Gbps。但是，常規(guī)單模光纖（G.652）由于在1530nm-1625nm（C+L波段）通信波段內(nèi)具有11-21ps/nm·km的正色散，非零色散位移光纖（G.655）在C波段內(nèi)具有1-10ps/nm·km的正色散。通信數(shù)據(jù)傳輸一段距離后，系統(tǒng)的累積色散不斷增加，導(dǎo)致傳輸信號(hào)的波形畸變，造成信號(hào)的失真。

為了減小通信鏈路累積色散對(duì)通信系統(tǒng)傳輸性能的影響，目前，國(guó)際上采用色散補(bǔ)償技術(shù)來(lái)改善鏈路色散，包括負(fù)色散光纖補(bǔ)償技術(shù)、光纖光柵色散補(bǔ)償技術(shù)、電子色散補(bǔ)償技術(shù)等，其中采用負(fù)色散光纖進(jìn)行色散補(bǔ)償?shù)募夹g(shù)最方便有效，系統(tǒng)性能穩(wěn)定可靠，成本低。采用色散補(bǔ)償光纖進(jìn)行通信鏈路的色散補(bǔ)償是當(dāng)前國(guó)際上的主流技術(shù)， 研究 表明：到2012年，全球色散補(bǔ)償模塊和器件的市場(chǎng)將會(huì)達(dá)到7.55億美圓。

高速大容量光通信系統(tǒng)需求的寬帶色散補(bǔ)償光纖及其器件（DCM）成功商用，實(shí)現(xiàn)C波段的色散和色散斜率的雙功能補(bǔ)償，并且大規(guī)模應(yīng)用在波分復(fù)用（WDM）及OTN光通信系統(tǒng)中，解決了該器件依賴于進(jìn)口的局面。隨著密集波分系統(tǒng)的規(guī)?；ㄔO(shè)，國(guó)內(nèi)對(duì)色散補(bǔ)償光纖模塊的需求量迅速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2015年國(guó)內(nèi)需求將達(dá)到60000套，市場(chǎng)容量將達(dá)到2.2億元。

烽火通信科技股份有限公司采用自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的PCVD裝備與工藝技術(shù)，獨(dú)立開(kāi)發(fā)出商用化的色散補(bǔ)償光纖及光纖型補(bǔ)償模塊，成功應(yīng)用在國(guó)內(nèi)10G和40G通信系統(tǒng)中，并批量出口。

常規(guī)色散補(bǔ)償光纖模塊對(duì)G.652光纖的補(bǔ)償比率在1:8～1:10，如果采用光子晶體前沿技術(shù)進(jìn)行補(bǔ)償，理論上可以達(dá)到1:100的補(bǔ)償比率，實(shí)現(xiàn)色散的高效補(bǔ)償。烽火通信在國(guó)家科技計(jì)劃的支撐下，研制出高負(fù)色散光子晶體光纖。該光纖其峰值波長(zhǎng)為1570nm，峰值負(fù)色散為－666.2ps/nm.km，其補(bǔ)償帶寬為40nm，補(bǔ)償比率3倍以上。

三、保偏光纖

保偏光纖在許多與偏振相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域具有使用價(jià)值。隨著通信系統(tǒng)傳輸速率的提高和光纖陀螺等高級(jí)光纖傳感器件的發(fā)展，對(duì)偏振態(tài)系統(tǒng)控制的問(wèn)題變得非常重要。

國(guó)際上，目前有各種類型的保偏光纖產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)，知名的保偏光纖制造公司有生產(chǎn)領(lǐng)結(jié)型保偏光纖的FiberCore公司，有生產(chǎn)橢圓包層保偏光纖的3M公司，以及生產(chǎn)熊貓型保偏光纖的Fujikura，Corning ，Nufern、YOFC和OFS等公司。所有的這些公司生產(chǎn)的保偏光纖都具有良好的雙折射性能。目前市場(chǎng)需求量為5000km，市場(chǎng)容量在5000萬(wàn)元左右，國(guó)內(nèi)對(duì)保偏光纖的需求量逐年增大。

常規(guī)保偏光纖大多采用預(yù)制棒鉆孔的方法，然后置入應(yīng)力硼棒，形成應(yīng)力雙折射。光子晶體光纖科學(xué)技術(shù)的出現(xiàn)，為保偏光纖技術(shù)提供了新的途徑。目前，國(guó)外已經(jīng)開(kāi)始了光子晶體PMF的 研究 ，利用氧化硅一空氣之間的折射率反差大，容易獲得高雙折射，研制出了保偏光子晶體光纖 (PCF)．英國(guó)巴斯大學(xué)報(bào)道了其研制的高雙折射PCF，利用相同直徑不同壁厚的毛細(xì)管組合成預(yù)制棒，實(shí)現(xiàn)不同的微孔直徑．光纖外直徑125μm、節(jié)距 1.46μm、小孔直徑0．54μm、大孔直徑1.14μm、在1 550 nm 的拍長(zhǎng)為410μm ，雙折射B =3.8 x 10-3 ，約為目前熊貓型PMF的10倍．Theis P．hansen利用光子晶體光纖可以高設(shè)計(jì)自由度的優(yōu)勢(shì)，在光纖中引入雙纖芯，微孔點(diǎn)陣呈現(xiàn)三角形點(diǎn)陣，研制的光子晶體PMF雙折射達(dá)到 1.0x10-3 ．目前研制的光子晶體PMF在1 550 am 窗口的損耗為1.3 dB／km，并以10 Gbit／s的速率進(jìn)行1．5 km的傳輸系統(tǒng)試驗(yàn)。

四、摻稀土光纖

隨著新型光電子器件的發(fā)展，摻稀土光纖的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。摻稀土光纖主要包括摻鐿光纖、摻鉺光纖、摻銩光纖等，烽火通信的高性能摻稀土光纖成功獲得“國(guó)家重點(diǎn)新產(chǎn)品”稱號(hào)，打破了國(guó)外對(duì)我國(guó)高功率雙包層摻稀土光纖的技術(shù)封鎖。

烽火通信采用自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的專利技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了稀土離子摻雜技術(shù)突破，鐿離子濃度迅速突破13000ppm，雙包層摻鐿光纖的纖芯直徑迅速突破100微米的技術(shù)關(guān)隘，達(dá)到115微米。

五、能量傳輸光纖

能量光電子與信息光電子是光電子領(lǐng)域的一對(duì)孿生姊妹，信息光電子是利用光子作為信息的載體，而能量光電子是利用光子作為能量的載體，逐漸形成未來(lái)社會(huì)不可缺少的科學(xué)技術(shù)。其實(shí)，能量光電子技術(shù)自1960年美國(guó)休斯實(shí)驗(yàn)室研制出世界第一臺(tái)紅寶石激光器之后，相繼研制開(kāi)發(fā)了半導(dǎo)體激光器、CO2激光器、YAG激光器和高功率CO2激光器。特別是高功率激光器的研制成功，為激光加工技術(shù)在工業(yè)、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療、軍事、科學(xué) 研究 以及生活等領(lǐng)域的應(yīng)用和相關(guān) 行業(yè) 的發(fā)展創(chuàng)造了巨大的技術(shù)進(jìn)步。

隨著能量光電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，各種新型高功率激光器與激光加工設(shè)備不斷涌現(xiàn)，激光設(shè)備采用光纖輸出激光的方式已經(jīng)取代傳統(tǒng)輸出方式。光纖輸出激光的方式具有傳輸功率損耗小、操作簡(jiǎn)單方便、可以任意伸展待加工部位等優(yōu)點(diǎn)，大大地簡(jiǎn)化并縮小了現(xiàn)代激光設(shè)備，已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于材料表面熱處理、激光焊接、激光切割、激光醫(yī)療、激光美容、激光制導(dǎo)等領(lǐng)域。

目前，國(guó)內(nèi)激光設(shè)備制造商采用的能量光纖主要依靠進(jìn)口，主要原因有四個(gè)：一是國(guó)內(nèi)的能量光纖的激光損傷閾值較低；二是光纖的光透過(guò)率較國(guó)外低；三是國(guó)內(nèi)機(jī)械加工精度不夠，所生產(chǎn)的SMA905連接頭的同軸度差，不能夠滿足醫(yī)療激光即插即用的需求；四是光纖端面處理技術(shù)較為落后。隨著能量光電子產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展和不斷壯大，該 行業(yè) 對(duì)能量傳輸光纖及其套件的需求會(huì)越來(lái)越大。
 

第二節(jié) 產(chǎn)品生產(chǎn)工藝特點(diǎn)或流程

過(guò)程：制作預(yù)制棒→拉絲→涂覆

1、制作預(yù)制棒

MCVD—改進(jìn)的化學(xué)汽相沉積法

PVCD－等離子體激活化學(xué)汽相沉積法

OVD－棒外汽相沉積法

VAD－軸向汽相沉積法

MCVD法的特點(diǎn)：在石英反應(yīng)管（趁底管）內(nèi)沉積內(nèi)包層和芯層的玻璃，整個(gè)系統(tǒng)處于封閉的超提純狀態(tài)下。

MCVD法制備光纖預(yù)制棒示意圖
 

第一步：熔制光纖的內(nèi)包層玻璃。

主體材料：液態(tài)SiCl4；摻雜試劑：CF2Cl2，SF6，C2F4；載運(yùn)氣體：O2

SiCl4+O2→SiO2+2Cl2↑

2 CF2Cl2+ SiCl4+2O2 → SiF4+2Cl2+2CO2↑

石英管內(nèi)壁上形成SiO2－SiF4玻璃層，作為光纖內(nèi)包層。

第二步：熔制芯層玻璃。

主體材料：液態(tài)SiCl4；摻雜試劑：GeCl4；載運(yùn)氣體：O2

SiCl4+O2→SiO2+2Cl2↑

GeCl4+O2→GeO2+2Cl2↑

SiO2－GeO2沉積在內(nèi)包層玻璃上，成為芯層玻璃。
 

2、預(yù)制棒拉制成絲

預(yù)制棒拉絲示意圖
 

預(yù)制棒由送料機(jī)構(gòu)送入管狀加熱爐（石墨電阻爐）中，當(dāng)預(yù)制棒尖端熱到一定溫度時(shí)，粘度變低，靠自身重量逐漸下垂變細(xì)形成纖維。纖維經(jīng)由纖徑測(cè)量?jī)x監(jiān)測(cè)并拉引到牽引輥繞到卷筒上。送料機(jī)構(gòu)的速度必須與牽引輥收絲的速度相適應(yīng)。拉絲速度一般為30～100米/秒。

3、涂覆

裸露在空氣中的光纖容易斷裂，所以為了提高抗拉強(qiáng)度和抗彎強(qiáng)度，需要涂覆保護(hù)層。

一次涂覆：變性硅酮樹(shù)酯、普通硅酮樹(shù)酯

二次涂覆：套塑

第三節(jié) 國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) 分析

目前，隨著我國(guó)3G與三網(wǎng)合一的信息化建設(shè)投資加大，以及振興中西部、發(fā)展農(nóng)村、擴(kuò)大內(nèi)需等政策的相繼出臺(tái)，我國(guó)對(duì)光纖光纜以及光電子器件保持旺盛增長(zhǎng)勢(shì)頭，今后隨著信息基礎(chǔ)設(shè)施的完善與擴(kuò)大，預(yù)計(jì)對(duì)光纖光纜和光纖器件的需求將繼續(xù)增長(zhǎng)。

特種光纖具有向如下幾個(gè)方向發(fā)展的趨勢(shì)：

1、高附加值、高技術(shù)含量的特種光纖

2、光纖通信器件：可調(diào)色散補(bǔ)償器、動(dòng)態(tài)PMD補(bǔ)償器、高功率放大器、光參量放大器OPA、慢光及全光緩存器、波長(zhǎng)變換器件等；

3、能量光纖器件：全光纖化激光器、單頻、窄線寬等大功率有源光纖器件與無(wú)源光纖器件等；

4、醫(yī)療光纖器件：微創(chuàng)手術(shù)器件、內(nèi)窺醫(yī)療器件等；

5、傳感光纖器件：各種特殊環(huán)境應(yīng)用的器件，如壓力、溫度、位移等參量的傳感與探測(cè)器件，光纖陀螺等。
 

免責(zé)申明：本文僅為中經(jīng)縱橫 市場(chǎng) 研究 觀點(diǎn)，不代表其他任何投資依據(jù)或執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)等相關(guān)行為。如有其他問(wèn)題，敬請(qǐng)來(lái)電垂詢：4008099707。特此說(shuō)明。